The study of Silicone Germanium strained layers has broad implications for material scientists and engineers, in particular those working on the design and modelling of semi-conductor devices. Since the publication of the original volume in 1994, there has been a steady flow of new ideas, new understanding, new Silicon-Germanium (Si Ge) structures and new devices with enhanced performance. Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strai...
ซื้อ eBook เล่มนี้และรับฟรีอีก 1 เล่ม!
ภาษา อังกฤษ ● รูป PDF ● ISBN 9780080541020 ● สำนักพิมพ์ Elsevier Science ● การตีพิมพ์ 2003 ● ที่สามารถดาวน์โหลดได้ 6 ครั้ง ● เงินตรา EUR ● ID 2262116 ● ป้องกันการคัดลอก Adobe DRM
ต้องใช้เครื่องอ่านหนังสืออิเล็กทรอนิกส์ที่มีความสามารถ DRM