This subject is divided into two volumes. Volume I is on homoepitaxy with the necessary systems, techniques, and models for growth and dopant incorporation. Three chapters on homoepitaxy are followed by two chapters describing the different ways in which MBE may be applied to create insulator/Si stackings which may be used for three-dimensional circuits. The two remaining chapters in Volume I are devoted to device applications. The first three chapters of Volume II treat all aspects of heteroepitaxy with the exception of the epitaxial insulator/Si structures already treated in volume I.
Mua cuốn sách điện tử này và nhận thêm 1 cuốn MIỄN PHÍ!
Ngôn ngữ Anh ● định dạng PDF ● Trang 306 ● ISBN 9781351085076 ● Nhà xuất bản CRC Press ● Được phát hành 2018 ● Có thể tải xuống 3 lần ● Tiền tệ EUR ● TÔI 7121201 ● Sao chép bảo vệ Adobe DRM
Yêu cầu trình đọc ebook có khả năng DRM