This book provides a detailed treatment of radiation effects in electronic devices, including effects at the material, device, and circuit levels. The emphasis is on transient effects caused by single ionizing particles (single-event effects and soft errors) and effects produced by the cumulative energy deposited by the radiation (total ionizing dose effects). Bipolar (Si and Si Ge), metal-oxide-semiconductor (MOS), and compound semiconductor technologies are discussed. In addition to considering the specific issues associated with high-performance devices and technologies, the book includes the background material necessary for understanding radiation effects at a more general level.
Mua cuốn sách điện tử này và nhận thêm 1 cuốn MIỄN PHÍ!
Ngôn ngữ Anh ● định dạng PDF ● Trang 348 ● ISBN 9789812794703 ● Kích thước tập tin 25.0 MB ● Biên tập viên Ronald D Schrimpf & Daniel M Fleetwood ● Nhà xuất bản World Scientific Publishing Company ● Thành phố Singapore ● Quốc gia SG ● Được phát hành 2004 ● Có thể tải xuống 24 tháng ● Tiền tệ EUR ● TÔI 2446664 ● Sao chép bảo vệ Adobe DRM
Yêu cầu trình đọc ebook có khả năng DRM