Metallorganische Precursormoleküle sind zur Herstellung von dünnen, hochreinen Schichten für Elektronikbauelemente unentbehrlich. Dieses Handbuch behandelt die Herstellung und Struktur der Precursor und ihre Anwendung in CVD-Prozessen zur Herstellung von Verbindungshalbleitern.
Unter anderem werden behandelt:
* Strategien und Techniken zur Herstellung von Verbindungshalbleitern
* Metallorganische Precursormoleküle für III-V MOVPE
* Metallorganische Precursormoleküle für II-VI MOVPE
* Einkomponentenvorstufen
* CBE-Technik
* ALE-Technik
Eine Reihe von Glossarien und ein ausführliches Literaturverzeichnis runden dieses umfassende Werk ab. Dieses Buch ist für Chemiker, Physiker, Ingenieure und Materialwissenschaftler, die sich mit der Materialentwicklung dünner Schichten befassen, zu empfehlen.
表中的内容
Basic Electronics
Introduction to Vapor-Phase Epitaxy
MOCVD
ALE
CBE
Precursor Chemistry
General Classes
Synthesis/Purification
Effects of Trace Impurities on Layer Properties
Deposition of III-V Semiconductors
MOCVD
ALE
CBE
Deposition of II-VI Semiconductors
MOCVD
ALE
Future Prospects