Recently, there has been increased interest in long wavelength infrared (LWIR) materials because of their applications in civilian and military imaging. Among many on-going research materials, dilute nitride indium antimonide (In Sb N) has attracted great attention because of the unique characteristics of dilute nitride III-V compounds, which could complement the ubiquitous mercury cadmium telluride (Hg Cd Te) material in terms of performance and manufacturing. This book presents the molecular beam epitaxy (MBE) growth and characterization of In Sb and In Sb N materials, based on the research work under the Compound Semiconductor and Quantum Information group, Nanyang Technological University, Singapore.
€89.70
ซื้อ eBook เล่มนี้และรับฟรีอีก 1 เล่ม!
รูป PDF ● หน้า 148 ● ISBN 9781621009726 ● บรรณาธิการ Yoon Soon Fatt & Lim Kim Peng ● สำนักพิมพ์ Nova Science Publishers ● การตีพิมพ์ 2014 ● ที่สามารถดาวน์โหลดได้ 3 ครั้ง ● เงินตรา EUR ● ID 7221689 ● ป้องกันการคัดลอก Adobe DRM
ต้องใช้เครื่องอ่านหนังสืออิเล็กทรอนิกส์ที่มีความสามารถ DRM
หนังสืออิเล็กทรอนิกส์เพิ่มเติมจากผู้แต่งคนเดียวกัน / บรรณาธิการ
28,033 หนังสืออิเล็กทรอนิกส์ในหมวดหมู่นี้
