Recently, there has been increased interest in long wavelength infrared (LWIR) materials because of their applications in civilian and military imaging. Among many on-going research materials, dilute nitride indium antimonide (In Sb N) has attracted great attention because of the unique characteristics of dilute nitride III-V compounds, which could complement the ubiquitous mercury cadmium telluride (Hg Cd Te) material in terms of performance and manufacturing. This book presents the molecular beam epitaxy (MBE) growth and characterization of In Sb and In Sb N materials, based on the research work under the Compound Semiconductor and Quantum Information group, Nanyang Technological University, Singapore.
€89.70
Mua cuốn sách điện tử này và nhận thêm 1 cuốn MIỄN PHÍ!
định dạng PDF ● Trang 148 ● ISBN 9781621009726 ● Biên tập viên Yoon Soon Fatt & Lim Kim Peng ● Nhà xuất bản Nova Science Publishers ● Được phát hành 2014 ● Có thể tải xuống 3 lần ● Tiền tệ EUR ● TÔI 7221689 ● Sao chép bảo vệ Adobe DRM
Yêu cầu trình đọc ebook có khả năng DRM
Thêm sách điện tử từ cùng một tác giả / Biên tập viên
28.135 Ebooks trong thể loại này
