This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
قم بشراء هذا الكتاب الإلكتروني واحصل على كتاب آخر مجانًا!
شكل PDF ● صفحات 154 ● ISBN 9781351751049 ● الناشر CRC Press ● نشرت 2017 ● للتحميل 3 مرات ● دقة EUR ● هوية شخصية 5329239 ● حماية النسخ Adobe DRM
يتطلب قارئ الكتاب الاليكتروني قادرة DRM