This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
Cumpărați această carte electronică și primiți încă 1 GRATUIT!
Format PDF ● Pagini 154 ● ISBN 9781351751049 ● Editura CRC Press ● Publicat 2017 ● Descărcabil 3 ori ● Valută EUR ● ID 5329239 ● Protecție împotriva copiilor Adobe DRM
Necesită un cititor de ebook capabil de DRM