This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
Bu e-kitabı satın alın ve 1 tane daha ÜCRETSİZ kazanın!
Biçim PDF ● Sayfalar 154 ● ISBN 9781351751049 ● Yayımcı CRC Press ● Yayınlanan 2017 ● İndirilebilir 3 kez ● Döviz EUR ● Kimlik 5329239 ● Kopya koruma Adobe DRM
DRM özellikli bir e-kitap okuyucu gerektirir