This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
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स्वरूप PDF ● पेज 154 ● ISBN 9781351751049 ● प्रकाशक CRC Press ● प्रकाशित 2017 ● डाउनलोड करने योग्य 3 बार ● मुद्रा EUR ● आईडी 5329239 ● कॉपी सुरक्षा Adobe DRM
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