This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
Купите эту электронную книгу и получите еще одну БЕСПЛАТНО!
Формат EPUB ● страницы 154 ● ISBN 9781351751032 ● издатель CRC Press ● опубликованный 2017 ● Загружаемые 3 раз ● валюта EUR ● Код товара 8116198 ● Защита от копирования Adobe DRM
Требуется устройство для чтения электронных книг с поддержкой DRM