This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
ซื้อ eBook เล่มนี้และรับฟรีอีก 1 เล่ม!
รูป EPUB ● หน้า 154 ● ISBN 9781351751032 ● สำนักพิมพ์ CRC Press ● การตีพิมพ์ 2017 ● ที่สามารถดาวน์โหลดได้ 3 ครั้ง ● เงินตรา EUR ● ID 8116198 ● ป้องกันการคัดลอก Adobe DRM
ต้องใช้เครื่องอ่านหนังสืออิเล็กทรอนิกส์ที่มีความสามารถ DRM