This book describes advanced epitaxial growth and self-aligned processing techniques for the fabrication of III-V semiconductor devices such as heterojunction bipolar transistors and high electron mobility transistors. It is the first book to describe the use of carbon-doping and low damage dry etching techniques that have proved indispensable in making reliable, high performance devices. These devices are used in many applications such as cordless telephones and high speed lightwave communication systems.
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भाषा अंग्रेज़ी ● स्वरूप PDF ● पेज 560 ● ISBN 9789812831675 ● फाइल का आकार 258.8 MB ● प्रकाशक World Scientific Publishing Company ● शहर Singapore ● देश SG ● प्रकाशित 1996 ● डाउनलोड करने योग्य 24 महीने ● मुद्रा EUR ● आईडी 2681671 ● कॉपी सुरक्षा Adobe DRM
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